本发明属于电子功能材料领域，具体涉及一种降低钛酸铋钠基薄膜矫顽场及提高其耐压性的方法。该薄膜的化学通式为Na0.5Bi0.5Ti1-xMnxO3-δ，其中x为锰离子的摩尔掺量，0< x< 0.05；δ是为了维持电荷平衡所失去的氧原子的数目。本发明在锰离子掺杂的基础上，采用优化的化学溶液沉积制备工艺，在ITO/glass衬底上，制备了具有良好铁电性及介电性的钛酸铋钠基薄膜。可以用于开发具有铁电、介电特性的功能材料及器件。