本发明属于纳米材料制备技术领域，具体为一种g‑C3N4/MXene/CuZnIn2S4纳米复合光催化剂及其制备方法。CuZnIn2S4作为应用比较广泛的光催化剂，可以通过对其形貌进行调控而增加活性位点的暴露数量，从而进一步提高其光催化活性。MOF异质结具有高比表面积和丰富的孔结构，可以解决复杂多相金属与配体的灵活配位问题，为高效光催化剂的构筑提供有利条件。该复合光催化剂的制备方法是，在CuZnIn‑MOF异质结中引入g‑C3N4和MXene，硫化后制得目标产物，即g‑C3N4/MXene/CuZnIn2S4纳米复合光催化剂。本发明的优点是，以MOF为模板制备的CuZnIn2S4具有超大的比表面积，为CuZnIn2S4与g‑C3N4的偶联提供了更多的负载位点，从而增大了活跃位点暴露数目，而MXene的引入可以显著提高载流子的传导能力，从而显著提高了光催化剂的光催化活性。