本发明属于薄膜涂覆技术领域，尤其涉及一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法。本发明的技术方案为：一种电化学沉积制备碲化镉半导体薄膜的方法，包括如下四个步骤：1)CdTe碱性前躯体沉积溶液的配制；2)沉积基底的清洗及处理；3)CdTe薄膜的电化学沉积；4)将沉积的CdTe薄膜转移到快速退火炉中退火处理，得到最终的CdTe半导体多晶薄膜，其特征在于：在所述步骤3)中的CdTe薄膜的电化学沉积是在光源照射下沉积。用简单有效的能量激发方式来提高电化学沉积法制备碲化镉半导体薄膜的效率实现其连续生长，达到一定的沉积厚度，并且既有工艺简单、容易操作、成本低廉的特点。