济南大学科研成果转化办公室   英文版    科技处    济南大学
 
当前栏目: 发明专利
当前位置: 网站首页 >> 发明专利 >> 正文
一种缺陷的钴掺杂二硫化铁多孔中空花状纳米粉体的制备方法及电催化应用(CN201811512094.5)
发布日期:2019-12-05  申请人:济南大学  浏览次数:
本发明提供了一种具有缺陷的钴掺杂二硫化铁多孔中空花状纳米粉体的制备方法及电催化应用。首先,制备铁、钴反应液,加热合成无定形钴铁氧体纳米粉体;然后溶剂热法进行硫化反应制得钴掺杂二硫化铁花状纳米粉体;最后,在惰性气体保护下退火处理,得到有缺陷的钴掺杂二硫化铁多孔中空花状纳米粉体。有缺陷的钴掺杂二硫化铁多孔中空花状纳米粉体应用到电催化产氧反应(OER)具有优异的催化性能,过电位低至0.270 V(相对标准氢电极),塔菲尔斜率低至40 mV/dec。

上一条:一种空气气氛制备氟磷酸钒钠材料的方法

下一条:一种同时检测两种环境雌激素的传感器的制备方法及应用

电话:0531-82765687, 82765671
邮箱:kjkf@ujn.edu.cn
地址:山东省济南市南辛庄西路336号
邮编:250022

tr>

技术成果

发明专利

校内专家
Copyright 济南大学科技处 All rights reserved.2019