本发明公开了一种在常压下利用白炭黑为硅源制备高表面积纳米孔二氧化硅的方法，属于纳米材料生产领域。将白炭黑放入氢氧化钠溶液中溶解反应12h后，冷却至室温后，将溶液过滤得到硅酸钠溶液；取一定量的硅酸钠溶液和水混合，调节pH后，加入一定质量的CTAB；将反应介质放在摇床上，在一定温度下反应一段时间；反应后的混合液经过滤，收集沉淀物，用蒸馏水洗涤多次放入烘箱中90℃下干燥3 h；将干燥后的样品以1℃/min的升温速率在550℃下煅烧6 h。本发明所讲的纳米孔SiO2的制备方法工艺简单，设备要求低，在常压下就可以进行，且制备周期时间短。得到的纳米孔SiO2材料具有高的比表面积相对均匀的孔径分布。为纳米孔SiO2材料的制备提供了新的思路，具有广阔的发展前景。
