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发明专利

一种新型低损耗单斜结构微波介质陶瓷及制备方法

发布日期:2019-12-05 来源:1606.0   点击:
本发明公开了一种新型低损耗单斜结构微波介质陶瓷及制备方法,该陶瓷材料组成表达式为:Ba2Bi1+xSbO6,其中0≤x≤0.06。陶瓷材料采用传统固相工艺制备而成,本发明先将BaCO3、Bi2O3和Sb2O3等原材料按照化学式进行配料,经球磨、干燥、过筛后于1000~1050℃的温度下进行预烧处理;再经二次球磨、干燥后添加8%重量百分比粘合剂进行炒蜡造粒,压制成直径为10mm的圆柱坯体,于1050~1150℃烧结温度下对排胶后的陶瓷坯体进行烧结得到致密的陶瓷体。本发明微波介质陶瓷材料具有以下特点:陶瓷材料介电常数εr为25.65~27.16,品质因数Q·f为1.59~1.97×104 GHz,谐振频率温度系数τf为‑26.6~‑14.8 ppm/°C;陶瓷物相组成稳定,制备工艺简单,过程环保,制备成本较低,是一种很有发展前途的微波介质材料。

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