本发明公开了一种百草枯分子印迹传感器的制备方法，特征在于，首先采用氯金酸和氧化碳纳米管对玻碳电极进行修饰制得纳米金/氧化碳纳米管修饰液电极；第二步，在反应器中，加入乙醇：72~80%，N‑烯丙基‑2‑氨甲基吡咯烷：8~12%，丙烯酰胺：4~8%，N, N‑亚甲基双丙烯酰胺：0.2~1.0%，百草枯：2~6%，过硫酸铵：3~5%，65±2℃搅拌反应，将得到的产物用乙醇：乙酸混合溶液浸泡10h，除去模板分子，即得百草枯分子印迹聚合物；将聚合物滴涂到纳米金/氧化碳纳米管修饰电极上，即得百草枯分子印迹传感器。该传感器具有高的灵敏度和选择性。具有灵敏度高、特异性好、检测快速，可反复使用。
