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发明专利

基于CeO2-CdS减弱型的脑利钠肽抗原光电化学传感器的制备方法

发布日期:2019-12-05 来源:1852.0   点击:
本发明涉及基于SiO2/PDA‑Ag纳米复合物减弱CeO2‑CdS的脑利钠肽抗原光电化学传感器的制备方法。本发明以CeO2‑CdS作为基底材料并用可见光照射来获得光电流。CdS与CeO2能带匹配良好,使光电转换效率大大提高。SiO2/PDA‑Ag纳米复合物具有较大的空间位阻,其次Ag纳米颗粒与基底CdS之间存在能量转移,使光电响应实现双重减弱,增加了光电响应的变化值,从而提高了该传感器的灵敏度。根据不同浓度的待测物对光电信号强度的影响不同,实现了对脑利钠肽抗原的检测。其检测限为0.05 pg/mL。

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