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发明专利

一种恶草酮分子印迹传感器的制备方法

发布日期:2019-12-05 来源:1932.0   点击:
本发明公开了一种恶草酮分子印迹传感器的制备方法,特征在于,在反应器中,按如下组成质量百分浓度加入,N,N‑二甲基甲酰胺:22~26%,6mol/L的盐酸:38~43%,邻氨基苯酚:8~12%,4‑氨基吡啶:6~10%,恶草酮:2~5%,N, N‑亚甲基双丙烯酰胺:1.0~2.0%,滴加质量百分浓度为10%过硫酸铵:10~15%,搅拌溶解,40±2℃搅拌反应,将得到的产物用乙醇和盐酸混合溶液浸泡、洗涤,除去模板分子,干燥,即得恶草酮分子印迹聚合物;将聚合物滴涂在修饰电极上,制得扑草净分子印迹传感器。该传感器具有高的灵敏度和选择性。具有灵敏度高、特异性好、检测快速,可反复使用。

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