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发明专利
肖特基结导通型金属氧化物半导体场效应管
发布日期：2019-12-05 来源：2056.0 点击：
本发明提出了一种肖特基结导通型金属氧化物半导体场效应管，包括：漏极金属，漏极金属上方连接有高掺杂浓度的半导体衬底，高掺杂浓度的半导体衬底上方设有漂移区，漂移区表面设有栅氧化层、源极金属和源极延伸金属，栅氧化层上方设有栅电极，所述漂移区和源极金属之间，以及漂移区和源极延伸金属之间的接触为肖特基接触。该器件制备简单，具有很小的特征导通电阻和很小的体二极管反向恢复时间。
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