本发明提出了一种带有耦合场板的高电子迁移率晶体管，包括：衬底；衬底上方设有缓冲层；缓冲层上方设有沟道层；沟道层上方设有源电极、漏电极和势垒层，且源电极和漏电极位于势垒层的两端，势垒层位于源电极和漏电极的中间；势垒层上方设有介质层和栅电极；其特征在于，在所述栅电极与漏电极之间的介质层表面设置有若干耦合场板，每一个耦合场板上方设有一个耦合电极，所有耦合电极通过金属互连线与源电极相互连接。该结构可以通过耦合电极以及耦合场板的尺寸设计改变耦合场板的耦合电位，进而改变耦合场板对横向电场的调节作用，优化器件的横向电场分布，提高器件的横向耐压能力。
