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发明专利

一种黄嘌呤氧化酶修饰TiB2复合糊电极传感器的制备方法

发布日期:2019-12-05 来源:2203.0   点击:
本发明公开了一种黄嘌呤氧化酶修饰TiB2复合糊电极传感器的制备方法,其特征在于,首先,采用,纳米TiB2、氧化碳纳米管和1‑丙烯基‑3‑甲基咪唑四氟硼酸盐,制备得到纳米TiB2/碳纳米管复合糊电极;然后2‑(3, 4‑环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷环氧化纳米TiB2/碳纳米管复合糊电极,得到环氧化纳米TiB2/碳纳米管复合糊电极;最后采用质量百分浓度为3%的NaCl水溶液、聚乙烯醇、牛血清蛋白、黄嘌呤氧化酶配制黄嘌呤氧化酶固定液;将黄嘌呤氧化酶固定液20~24μL滴涂到环氧化纳米TiB2/碳纳米管复合糊电极上,制得黄嘌呤氧化酶修饰TiB2复合糊电极传感器。该电极传感器具有比普通的碳糊电极导电性能高,对次黄嘌呤具有专一识别性,灵敏度高。

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