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发明专利
一种纳米复合结构的Mg2Ge/Mg3Sb2热电材料及其制备方法
发布日期：2019-12-05 来源：2224.0 点击：
本发明公开了一种纳米复合结构的Mg2Ge/Mg3Sb2热电材料及其制备方法，该热电材料由Mg3Sb2基体相和Mg2Ge纳米相构成，其中Mg2Ge纳米相分散在Mg3Sb2基体相中，Mg2Ge的尺寸为10‑20nm。本发明通过熔融、熔体旋甩并结合放电等离子烧结的方法制备热电材料，所得热电材料热电材料属于p型热电材料，增加了声子散射，大大降低了热导率，提高了赛贝克系数，具有较好的热电性能。
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