一种S、P掺杂的g-C3N4管中管及其制备方法

本发明公开了一种S、P掺杂的g‑C3N4管中管及其制备方法，其制备过程为：将三聚氰胺、磷酸二氢铵和二苄基硫醚混合，得到均匀的混合物；将该混合物升至550‑700℃进行煅烧，得产物，所得产物具有管中管特殊形貌，成分为S、P掺杂的g‑C3N4。本发明制备工艺简单，重复性好，由于g‑C3N4具有良好的稳定性，且制备出的g‑C3N4管中管产品具有中空程度可调控和较大的比表面积的特点，在微电子、催化、光催化、及电催化等方面具有极大的应用价值。