本发明公开了一种中空管状CuS纳米材料及其制备方法。所述CuS纳米材料是在合成Cu纳米线的基础上进一步对其进行硫化得到的中空管状纳米材料。在该材料时,首先采用了简便的水性还原的方法合成Cu纳米线,然后采用水热合成的方法对得到的Cu纳米线进行硫化合成CuS纳米管,而且由于其原料易于获取,低成本,便于大规模的工业生产。在生产制备过程中,获得的Cu纳米线纯度高、尺寸长,CuS纳米管表面粗糙,这就有利于增加比表面积和暴露更多活性位点,同时中空结构缩短了离子和电荷的传输距离,减少了离子和电荷的损耗,从而提高了材料的性能。