本发明公开了一种带有场板辅助掺杂区的N型LDMOS结构，包括P型半导体衬底；P型半导体衬底上设有N型漂移区和P型阱；P型阱上设有N型源区和P型接触区；N型漂移区上设有N型漏区和场氧化层；在部分N型漂移区和部分P型阱上方设有栅氧化层；栅氧化层表面设有多晶硅栅；P型接触区和N型源区上连接有源极金属，且源极金属延伸至场氧化层的上方；N型漏区上连接有漏极金属；其特征在于，N型漂移区的内部设有场板辅助掺杂区，场板辅助掺杂区的掺杂类型为N型，且掺杂浓度大于N型漂移区的掺杂浓度。该结构可以改善场板覆盖范围内表面电场的均匀性，提高器件横向击穿电压，同时减小器件的导通电阻。
