一种AlGaN光电阴极原子级清洁表面的获得方法

本发明公开了一种AlGaN光电阴极原子级清洁表面的获得方法，包括如下步骤：(1)表面化学清洗；(2)热碱清洗；(3)刻蚀清洗；(4)Ar+溅射：将经过刻蚀清洗的AlGaN光电阴极进行Ar+溅射，溅射的时间为0.5‑1.5分钟；(5)高温热清洗：将经过Ar+溅射的AlGaN光电阴极在700‑720℃下进行清洗，清洗时间不少于30分钟，即获得AlGaN光电阴极原子级清洁表面。本发明通过将多种AlGaN光电阴极表面清洁操作有机组合，有效提高了AlGaN光电阴极表面的清洁效果，从而获得原子级清洁表面。