一种碳布负载Ni‑S‑Se纳米片阵列的制备方法

本发明涉及一种碳布负载Ni(S0.41Se0.59)2纳米片阵列及其制备方法，属于无机纳米材料制备技术领域。本发明以碳布负载的Ni(OH)2纳米片阵列为前驱体通过同时硫化‑硒化制备碳布负载Ni(S0.41Se0.59)2纳米片阵列。具体步骤如下：首先以硝酸镍、氟化铵和尿素为反应物通过水热法制得碳布负载的Ni(OH)2纳米片阵列为前驱体；进一步使用质量比1 : 3的硫粉和硒粉混合物对前驱体在氮气保护下进行同时的硫化和硒化制得碳布负载Ni(S0.41Se0.59)2纳米片阵列。