本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长MoO3纳米片的方法，属于纳米传感器的制备技术领域。该方法步骤为：(1)配置氧化钛籽晶层溶液；(2)配置氧化钼生长溶液：取0.1305 g的乙酰丙酮钼置于烧杯中后加入35 mL冰醋酸和2 mL去离子水，搅拌至完全溶解后转移至高压反应釜中；(3)片状结构纳米氧化钼的生长：将氧化铝陶瓷管在氧化钛籽晶层溶液中浸渍之后，于500℃煅烧2 h；水热生长。本发明的方法，无需事先制备出涂覆法所需粉末，无需手工涂覆，而是在氧化铝陶瓷管上直接生长出片状结构氧化钼。制成的传感器对三乙胺表现出较好的选择性，响应性有所提高。
