本发明公开了一种静电场辅助多晶硅铸锭的方法。其步骤如下：(1)将两片电极板置于多晶铸锭坩埚上下两侧，并保持平行；(2)电极板外接高压电源，给电极板输出稳定电压；(3)保持电场强度稳定在1V/cm‑100000V/cm范围中某一具体值，进行多晶硅铸锭工艺；(4)铸锭结束，极板断电，即得到性能优异的多晶硅铸锭。本发明可使多晶硅晶粒变大、取向性增强，并且可以将多晶硅中多种带电杂质高效的去除，大幅提高多晶硅质量，操作简单，稳定性好，能够进行批量生产。图1为实施例1、2中电场施加示意图；其中1导线，2石墨电极，3铸锭坩埚，4高压电源。
