一种脉冲激光辐射辅助制备半导体p‑n结的方法

本发明公开了一种脉冲激光辐射辅助制备半导体p‑n结的方法，制备工艺如下：以激光器作为辐照源，激光能量密度为1‑1000mJ/cm2内的一个固定值，频率设置为1‑50Hz内的一个固定值；以基底上生长的掺杂半导体薄膜为辐照目标，控制制备过程中基底的温度为100‑2000℃中的一个固定值；在气体气氛或真空下，使部分试样被脉冲激光反复辐照，辐照时间为1‑300秒，至计时结束，被辐照和未被辐照的部分形成半导体p‑n结。本发明的创新之处在提高了可控性的同时，简化了制备工艺，提升了电子器件的制造精度。