一种在导电基底上生长多孔二氧化锡纳米管的方法

本发明公开了一种在导电基底上基于原位自刻蚀模板机理制备一维多孔二氧化锡纳米管的方法，属于无机化学和材料合成领域。本方法包括以下步骤：清洗导电玻璃‑配制ZnO前驱体溶液‑生长ZnO/导电玻璃‑配制SnO2前驱体溶液‑生长SnO2纳米管。本方法的特点在于实现了两步模板法基于自产生的碱性环境原位刻蚀模板无需加入强酸/碱制备SnO2纳米管，简化了实验步骤，并且产物尺寸均一，成本低，更加节能环保。该方法操作简单，为大批量制备SnO2纳米管提供了一个新思路，同时所制备的氧化锡具有大的比表面积，在光催化和太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。