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发明专利

一种用于检测山奈素分子印迹传感器的制备方法

发布日期:2019-12-05 来源:4272.0   点击:
本发明公开了一种用于检测山奈素分子印迹传感器的制备方法,特征在于,首先采用氯金酸:和氧化石墨烯对玻碳电极进行修饰,得到纳米金石墨烯修饰玻碳电极;然后,在反应器加入,乙醇:44~50%,二甲基丙烯酸乙二醇酯:10~14%,苯乙烯:5~8%,1‑乙烯基‑3‑丁基六氟磷酸盐:30~35%,偶氮二异丁腈:1.0~2.0%,山柰素:2.0~5.0%,搅拌溶解,无氧氛围,55±2℃搅拌反应28~30h,采用甲醇:乙酸混合溶液除去模板分子即得山奈素分子印迹聚合物;再将分子印迹聚合物滴涂到纳米金石墨烯修饰玻碳电极,得到山奈素分子印迹传感器。该传感器具有高的亲和性和选择性。具有灵敏度高、特异性好、检测快速,可反复使用。

上一条:一种空气气氛制备氟磷酸钒钠材料的方法

下一条:一种同时检测两种环境雌激素的传感器的制备方法及应用