当前位置: 网站首页 >> 发明专利 >> 正文
发明专利

一种自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料及其制备方法

发布日期:2019-12-05 来源:5074.0   点击:
本发明涉及一种自组装形成的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料及其制备方法,复合三维纳米材料由CdTe量子点、SiO2和TGA组成,TGA作为配体修饰在CdTe量子点表面,TGA修饰的CdTe量子点表面包覆有SiO2层,TGA位于CdTe量子点和SiO2层之间;形状为稻草捆状,长度为200~300μm,中心处直径为50~120μm。其制备方法为, TGA修饰的CdTe量子点在室温下用溶胶凝胶法包覆一层SiO2层,然后分散到PBS缓冲液自组装得到具有高发光亮度的CdTe量子点/SiO2/TGA复合三维纳米材料,在传感器、发光装置、太阳能电池等领域有广泛的应用前景。

上一条:一种空气气氛制备氟磷酸钒钠材料的方法

下一条:一种同时检测两种环境雌激素的传感器的制备方法及应用