一种可控形貌的GaN纳米晶的制备方法

本发明涉及氮化镓晶体制备技术领域，特别涉及一种可控形貌的GaN纳米晶的制备方法：采用光浮区生长技术生长掺Mg的β?Ga2O3单晶；在β?Ga2O3单晶的解理面上形成损伤或者选取表面有晶格缺陷的β?Ga2O3单晶，通过化学气相沉积方法，生长GaN纳米晶。在表面有缺陷的β?Ga2O3单晶的解理面上生长GaN晶体，大大缩短了GaN晶体的形成时间，提高了效率；此方法可以不用掩膜，避免污染，得到不同形貌、任意轨迹的GaN晶体，为GaN晶体的进一步的扩大使用提供了可能性；生长得到的GaN晶体，形貌均匀，可大面积生长，并且具有很好的重复性。