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发明专利

一种铜碘杂化半导体材料及其光电应用

发布日期:2019-12-05 来源:641.0   点击:
本发明公开了一种铜碘基无机‑有机杂化半导体材料及其制备与应用。所述的杂化半导体分子结构式为(Mebtz)2Cu3I5,式中的Mebtz是带有一个正电荷的甲基化的苯并噻唑阳离子,该材料中的Cu3I5阴离子为双核(Cu2I6)单元和平面三角形(CuI3)交替连接形成的一维阴离子链。通过选择碘化亚铜,苯并噻唑,碘化钾,甲醇,乙腈和氢碘酸为反应原料,在溶剂热的条件下获得了化合物(Mebtz)2Cu3I5的单晶,用于光电探测及太阳能电池材料领域。

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