本发明公开了一种外加静电场辅助半导体材料掺杂的方法。方法如下：将基片置于匀强电场中；调节电场方向，使基片表面与电场负方向成?α角度，0≤α≤360o，电场强度1×10-6?V/nm≤?E≤5V/nm；在此外加静电场条件下，在基片上进行半导体材料的掺杂生长实验。本发明在半导体材料的生长过程中引入匀强电场的辅助作用，施加严格控制的外加静电场对半导体材料的晶核取向、形核密度、形貌产生有效影响，对杂质原子在半导体材料中的缺陷形成能进行调控，能够有效提高杂质固溶度和替位杂质比率，提高掺杂半导体材料的晶体品质。
