本发明公开了一种制备交叉型氧化锌纳米线阵列的方法，包括以下步骤：(1)采用分子束外延的方法在衬底上制备ZnO薄膜作为生长ZnO纳米结构的籽晶层；(2)在所述薄膜上用水热的方法生长交叉型ZnO纳米线阵列。本发明利用水热方法制备的交叉状ZnO纳米线阵列，具有以下优点：1、此方法制备交叉状ZnO纳米线阵列利用分子束外延技术蒸镀一层很薄的ZnO薄膜，来作为生长制备纳米结构的籽晶层，没有利用金属做催化剂，避免引入杂质。2、此方法制备出的交叉状ZnO纳米线阵列，形貌均一，可大面积的生长。3、通过水热方法可以较为容易的制备交叉状ZnO纳米线阵列，并且具有很好的重复性。
