当前位置: 网站首页 >> 发明专利 >> 正文
发明专利

一种具有p型导电性的四方相BiVO4薄膜的制备方法及所得产品和应用

发布日期:2019-12-05 来源:963.0   点击:
本发明公开了一种具有p型导电性的四方相BiVO4薄膜的制备方法及所得产品和应用,其步骤为:将可溶性铋盐和可溶性钒盐先分别配成溶液;将铋盐溶液和钒盐溶液混合,调节pH至酸性,将FTO玻璃浸入到所得溶液中,移至反应釜进行水热反应,得到产品。本发明采用水热法首次合成出了具有p型导电性的四方相BiVO4薄膜,该方法制备工艺简单,合成条件易于控制,所得BiVO4薄膜为四方锆石晶相,具有p型导电性,形貌新颖、单一,微观形貌重复性好,并且结晶性好、稳定性良好,作为光阴极在不加外电压的情况下可实现光分解水产氢,具有广阔的应用前景。

上一条:一种空气气氛制备氟磷酸钒钠材料的方法

下一条:一种同时检测两种环境雌激素的传感器的制备方法及应用